1.ESC為什麼溫度均勻性這麼重要？
在先進半導體製造（如3D NAND、DRAM、SiC 功率元件）中，乾式蝕刻製程對溫度極為敏感- ●製程影響：±1-2℃ 的溫差會導致蝕刻速率、選擇比及剖面形狀（如側壁保護膜厚度）發生10-15% 的顯著波動
。 - ●不均勻來源：等離子體熱流，ICP 蝕刻中，中心區域等離子體密度高，熱流呈“高斯分佈”，導致中心過熱. 冷卻結構，ESC 內部製冷劑流道通常導致外緣冷卻效果優於中心，形成徑向溫度梯度.
2. 硬體架構：靜電吸盤與多區加熱器
為了主動補償熱流的不均勻，目前新款ESC基本上都引進了 Multizone Heater！通常採用 PBN（熱解氮化硼） 材料，厚度約0.5mm，埋深於表面下方約3mm 處。
3.加熱器分區設計
傳統的Single-zone 無法調節局部溫差。多區加熱器通常將ESC 分為多個同心圓環或網格狀區域。
- ●中心區(Zone 1)：補償等離子體帶來的最高熱負荷。
- ●邊緣區(Zone 4)：對抗冷媒側向散熱，防止邊緣冷效。
- ●複雜的熱力學路徑：在真空環境下，晶圓與ESC之間的熱交換並非簡單的接觸傳導
- ●而是由三種路徑組成：固體接觸傳導僅佔總面積的1-5%，熱阻極高，背面氦氣傳導氦氣填充微米級縫隙（Gap），透過氣體熱傳導帶走熱量.